碳化硅化學(xué)氣相涂層爐

產(chǎn)品描述：: 用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的石墨或陶瓷表面的碳化硅化學(xué)氣相涂層。

應(yīng)用范圍：: 熱彎模具、導(dǎo)流筒、半導(dǎo)體坩堝、外延載盤、晶舟、爐管等。產(chǎn)品純度≥99.999%/99.9999%。

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技術(shù)特征
產(chǎn)品規(guī)格
配置選擇

碳化硅化學(xué)氣相涂層爐技術(shù)特征

采用先進(jìn)的進(jìn)氣控制技術(shù)，能精密控制MTS/SiCl4等的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積壓力穩(wěn)定，壓力波動?。?/span>

多通道工藝氣路，配合旋轉(zhuǎn)料臺，無沉積死角；

溫度場與氣流場耦合采用仿真輔助設(shè)計，溫度場與氣流場的均勻性好；

多級尾氣處理系統(tǒng)，能高效處理腐蝕性尾氣、固體副產(chǎn)物，環(huán)境友好；

爐殼采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，熱場材料采用低灰分材質(zhì)，嚴(yán)格把控進(jìn)氣管路材質(zhì)（選用EP級材質(zhì)）；

適于工藝氣氛：真空/H2/N2/Ar/MTS等。

碳化硅化學(xué)氣相涂層爐產(chǎn)品規(guī)格

參數(shù)\型號	HCVD-101015-SiC	HCVD-121220-SiC	VCVD-0608-SiC	VCVD-0812-SiC	VCVD-1015-SiC	VCVD-1218-SiC	VCVD-1520-SiC	VCVD-1530-SiC
工作區(qū)尺寸 W×H×L（mm）	1000×1000×1500	1200×1200×2000	600×800	800×1200	1000×1500	1200×1800	1500×2000	1500×3000
最高溫度（℃）	1500
溫度均勻性（℃）	±10/±15	±15/±20	±5/±7.5	±7.5/±10	±10/±15	±10/±15	±15/±20	±15/±20
極限真空度（Pa）	1-100
壓升率（Pa/h）	0.67
加熱方式	電阻

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)整，不作為驗收依據(jù)，具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。

碳化硅化學(xué)氣相涂層爐配置選擇

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